電動車/新能源推升 IGBT市場快速成長
日期：2019/06/17
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影片說明：
IGBT絕緣柵雙極電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）是一種大功率的電力電子器件、開關器件。它是由雙極性電晶體（BJT）和金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具備高壓、大電流、切換快速等優點，應用範圍廣泛，包括智慧節能家電、電交通運輸、電動車輛等等。預估接下來幾年全球IGBT市場規模將會大幅成長，主要動能來自汽車市場，尤其是電動汽車和混合動力汽車動力系統的電氣化。
IGBT絕緣柵雙極電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）是一種大功率的電力電子器件、開關器件。它是由雙極性電晶體（BJT）和金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具備高壓、大電流、切換快速等優點，應用範圍廣泛，包括智慧節能家電、電交通運輸、電動車輛等等。預估接下來幾年全球IGBT市場規模將會大幅成長，主要動能來自汽車市場，尤其是電動汽車和混合動力汽車動力系統的電氣化。
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